为了开阔同学们的专业知识视野，帮助同学们更好的认识自己、及时调整目标。2018年11月22日下午，理学院邀请张纪才教授开展了一场主题为“夯实基础，开拓未来”的名师励志大讲堂活动。讲座由理学院党委副书记崔玉主持。
讲座伊始，张教授提出了大学生自我定位，制定计划的重要性。接着，他讲述了90年代发生的三件国耻事件，提出科技进步的重要性并结合当下中兴事件，指出了高端技术对于企业乃至国家的重要意义。同时，张教授结合自己的研究方向——半导体，详细地为同学们介绍了半导体和集成电路在市场上的应用和相关的知名企业，帮助同学们认识了解专业，明确就业方向。 最后，张教授以“革命尚未成功，同志仍需努力”作为结语，以此激励同学，不断努力，实现自己的目标。
正如张纪才教授所提到的那样，希望同学们都能重视基础、不断提升自己，不忘初心，去开拓一个属于自己的未来。
此次名师励志大讲堂，借名师讲述自己成材经历，以经验分享会的形式，帮助同学们进一步了解专业，同时激发同学们的学习热情。接下来，理学院仍将积极践行“三全育人”理念，帮助同学寻找前进方向，开拓学生科研视野，激发低年级学生对科研的兴趣，真正体会到专业魅力，为国家科研贡献一份力量。
附：张纪才老师简介
张纪才，北京化工大学理学院教授，博士生导师。2005年毕业于中国科学院半导体研究所，获得博士学位；2005-2010年，先后在以色列Technion-Israel Institute of Technology、日本Nagoya Institute of Technology和Mie University工作；2010年回国加入中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所；2017年调入北京化工大学理学院。获得中科院“百人”计划、江苏省“企业博士聚集计划”、苏州市紧缺高层次人才、苏州工业园区高层次和紧缺人才。科研成果方面：在日本工作期间研制的265nm AlGaN基深紫外LED，为当时国际上报道的最好结果之一。回国后研发成功具有完全自主知识产权的国内首台高温HVPE设备，工作温度高达1500度，填补了国内高温HVPE设备空白。在此设备上成功研发出2英寸AlN模板产品，达到国内领先、国际先进水平。国内首次采用HVPE设备实现1英寸AlN单晶衬底的制备；实验上首次发现AlN体单晶中的孪晶结构和首次发现AlN材料中的∑旋转畴现象。
